一·单管区熔炉 采用触摸屏进行操作 设备用途：
1. 提纯金属、半导体、有机和无机的化学材料；
2. 区熔致匀（使一种欲掺入的杂质十分均匀地分布在整个单晶
体中）
3. 焊接和测量液体中的扩散率等。
二·单管区熔炉 采用触摸屏进行操作设备优点：
1·区熔加热炉采用往复区熔的方式，闭环温度控制，可靠的控制熔区的宽度问题；生长室的设计成功解决生长室的污染问题，
2·将加热及保温材料均设置在生长腔室外部，采用高纯石英作为腔室，同时抽真空；将流动高纯氢气通入腔室，去除腔室中的微量氧，解决氧化的问题；
3·开发高柔性的控制软件，采用触摸屏进行操作，任意设置区熔的温度，区熔的速度及次数。
三·主要技术参数
1.加热温度： 1100℃ 使用温度：≤1000℃(主加热采用红外测温）
2.设备功率： 10Kw±10% 三相380v 50Hz（三相五线制）
3.超高频感应电源功率： 6Kw±10% 单相220v 50Hz（三相五线制）
4.主加热方式： 高频感应加热
5.设计前配置辅助加热：采用电阻加热 加热功率≤1kw 温度范围≤500℃，温度可控可设定。
4.冷态极限真空度： ≤5Pa
5·石墨舟尺寸：Ф50*400mm（内径*长度，半圆柱）（根据实际微调整）
6·石英管（腔室）尺寸：¢60*1000（根据实际加热分布情况做调整）
7·加热方式： 高频感应加热
9·区熔熔区长度及速度：400mm 位移行程 ≥500mm
快速：50-200mm/min（伺服控制）可根据客户需求设计
10.炉内充气压力： ≤0.03MPa（氩气 氢气）
11·充气系统： 自动充放气（配置氢气点火装置）
